0755-82564498
[email protected]
Russian
中文
English
Japenese
Russian
French
Arabic
Korean
Spanish
Kazakh
Главная страница
Классификация продуктов
Марка
Запрос цены
Общественная информация
О нас
О нас
Свяжитесь с нами
Свяжитесь с нами
Главная страница
Классификация продуктов
Марка
Запрос цены
Общественная информация
О нас
Свяжитесь с нами
Russian
中文
English
Japenese
Russian
French
Arabic
Korean
Spanish
Kazakh
Главная
Список товаров
K4B4G1646E-BYK000
Номер детали:
K4B4G1646E-BYK000
Категория:
-
Производитель:
Samsung Semiconductor, Inc.
Описание:
DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
Корпус:
Упаковка:
Tray
Количество:
0
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запрос цены
Запас
Мин. заказ: 0
Кол-во
Цена
Итого
Параметры продукта
Статус детали
Active
Тип монтажа
Surface Mount
Программируемый
Not Verified
Тип памяти
Volatile
Интерфейс памяти
Parallel
Корпус
96-TFBGA
Формат памяти
DRAM
Объем памяти
4Gbit
Организация памяти
256M x 16
Тактовая частота
800 MHz
Рабочая температура
0°C ~ 95°C
Напряжение питания
1.35V
Новейшие продукты
MB85RS64PNF-G-AMERE2
RAMXEED
IC FRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOP
Подробнее
EM016LXQBB310ISCR
Everspin Technologies Inc.
IC RAM 16MBIT XSPI/QUAD 24TBGA
Подробнее
EM016LXQBDH10ISCR
Everspin Technologies Inc.
IC RAM 16MBIT XSPI/QUAD 8DFN
Подробнее
EM008LXQBB310ISCR
Everspin Technologies Inc.
IC RAM 8MBIT XSPI/QUAD 24TBGA
Подробнее
EM004LXQBDH10ISCR
Everspin Technologies Inc.
IC RAM 4MBIT XSPI/QUAD 8DFN
Подробнее
EM004LXQBB310ISCR
Everspin Technologies Inc.
IC RAM 4MBIT XSPI/QUAD 24TBGA
Подробнее
EM008LXQBDH10ISCR
Everspin Technologies Inc.
IC RAM 8MBIT XSPI/QUAD 8DFN
Подробнее
BR25G160FVM-5TR
ROHM Semiconductor
16KBIT, SPI BUS, SERIAL EEPROM :
Подробнее
[email protected]
+86-755-82564498
Chat with us
, powered by
LiveChat