2CG010BBC11N
2CG010BBC11N
2CG010BBC11N
Номер детали:
2CG010BBC11N
Категория:
-
Производитель:
Описание:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE MODULE
Корпус:
Упаковка:
Tray
Количество:
121
Статус RoHS:
Поддерживается
Поделиться:
PDF:
Запас
Мин. заказ: 1
Кол-во
Цена
Итого
1+
$101.67
$101.67
10+
$82.75
$827.5
Тип монтажа
Through Hole
Статус детали
Active
Рабочая температура
-40°C ~ 85°C (TA)
Программируемый
Not Verified
Управляемая конфигурация
Half-Bridge
Тип канала
Independent
输入类型
Non-Inverting
Корпус
Module
Количество драйверов
2
Поставщик Устройство Корпус
Module
Тип затвора
IGBT, SiC MOSFET
Время нарастания / спада (тип.)
500ns, 500ns
Напряжение питания
13V ~ 28V
Логическое напряжение - VIL, VIH
1.65V, 3.85V
Ток - Пиковая выходная мощность (Источник, Сток)
43A, 43A
Новейшие продукты
MCP14A0902T-E/MNYVAO
Microchip Technology
9A SINGLE MOSFET DRIVER WITH LOW
MCP14A0901T-E/MNYVAO
Microchip Technology
9A SINGLE MOSFET DRIVER WITH LOW
MCP14A0454T-E/MNYVAO
Microchip Technology
DUAL 4.5A, BOTH CHA & CHB ARE NO
MCP14A0453T-E/MNYVAO
Microchip Technology
DUAL 4.5A, BOTH CHA & CHB ARE IN
MCP14A0455T-E/MNYVAO
Microchip Technology
4.5A DUAL MOSFET DRIVER WITH LOW
MCP14A0303T-E/MNYVAO
Microchip Technology
DUAL 3.0A, BOTH CHA & CHB ARE IN
MCP14A0304T-E/MNYVAO
Microchip Technology
DUAL 3.0A, BOTH CHA & CHB ARE NO
MCP14A0305T-E/MNYVAO
Microchip Technology
DUAL 3.0A, CHA IS INVERTED & CHB